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静电放电敏感度（ESDS）等级划分：根据电子元器件对静电放电的耐受能力，划分人体模型（HBM）、机器模型（MM）、组件充电模型（CDM）等不同敏感度等级，检测参数包括HBM放电电压（0-8000V）、MM放电电压（0-2000V）、CDM放电电压（0-1000V）、失效判据（功能丧失、参数漂移超过规格限）。
人体模型（HBM）静电放电测试：模拟人体接触电子元器件时的静电放电过程，检测元器件耐受静电放电的能力，参数包括放电电压（100V-8000V，步长100V）、放电次数（每个电压等级正负极各5次）、脉冲上升时间（<1ns）、失效模式（栅氧化层击穿、金属化层烧蚀）。
机器模型（MM）静电放电测试：模拟机器设备（如自动化生产线）与电子元器件接触时的静电放电，评估元器件对机器放电的耐受性，参数包括放电电压（25V-2000V，步长25V）、电容（200pF）、电阻（0Ω）、放电次数（每个电压等级10次）。
组件充电模型（CDM）静电放电测试：模拟元器件在搬运、组装过程中因摩擦带电后的放电，检测元器件对组件内部充电放电的耐受能力，参数包括充电电压（0-1000V）、放电时间（<1ns）、测试温度（23±2℃）、湿度（45±5%RH）。
静电放电抗扰度测试（ESDimmunity）：评估完整电子设备抵御静电放电的能力，模拟用户使用过程中的接触放电或空气放电，参数包括放电电压（接触放电0-8000V，空气放电0-15000V）、放电次数（每个测试点正负极各10次）、测试模式（接触、空气）、性能判据（A类无影响、B类暂时影响自动恢复、C类暂时影响手动恢复、D类永久损坏）。
静电电荷积累测试：测量材料或产品在摩擦、感应等过程中积累的静电荷量，评估静电电荷积累的风险，参数包括电荷量范围（0-100μC）、测量精度（±2%）、测试环境（温度23±2℃，湿度45±5%RH）、摩擦次数（10-100次）。
静电放电脉冲上升时间测试：检测静电放电脉冲的上升时间，分析其对电子元器件的冲击程度，参数包括上升时间范围（0.1-10ns）、时间分辨率（0.01ns）、脉冲峰值电压（0-10kV）、脉冲宽度（10-100ns）。
静电放电次数耐受性测试：检测电子元器件在多次静电放电后仍能保持正常功能的能力，参数包括放电次数（100-1000次）、放电电压（按元器件ESDS等级设定）、放电频率（1-10Hz）、失效判据（连续3次放电后功能正常）。
静电放电对信号传输影响测试：评估静电放电对电子设备信号传输性能的影响，参数包括信号类型（数字信号、模拟信号）、信号频率（0-1GHz）、信号衰减量（0-30dB）、误码率（0-1×10⁻⁶）、测试接口（USB、HDMI、以太网）。
静电放电防护元件性能测试：检测ESD二极管、压敏电阻等防护元件的防护能力，参数包括钳位电压（0-20V）、响应时间（<1ns）、漏电流（0-1μA）、最大功率（0-1000W）、反向击穿电压（0-50V）。
静电放电环境适应性测试：模拟高温、低温、高湿度、低湿度等环境条件下的静电放电测试，评估环境对产品静电放电敏感度的影响，参数包括环境温度（-40-150℃）、环境湿度（10-95%RH）、测试电压（按产品规格设定）、失效判据（功能正常）。
电子元器件：集成电路（IC）、二极管、三极管、电阻、电容、电感等，评估其在静电放电环境下的可靠性。
半导体材料：硅片、砷化镓片、氮化镓片、碳化硅片等，检测其表面静电电荷积累及放电对材料性能的影响。
电子设备：手机、电脑、平板电脑、电视机、智能手表、游戏机等消费类电子设备，评估其整体抵御静电放电的能力。
航空航天电子系统：飞机机载电子设备、卫星通信系统、火箭制导系统、空间站设备等，检测其在高空低湿度环境下的静电放电敏感度。
医疗器械：心脏起搏器、输液泵、手术机器人、医疗影像设备等，确保其在静电环境下的正常工作及患者安全。
汽车电子部件：发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统、传感器、动力电池管理系统（BMS）等，评估其在汽车制造及使用过程中的静电放电耐受性。
防静电材料：防静电地板、防静电工作台垫、防静电包装材料、防静电衣物等，检测其静电衰减性能及电阻率。
电力设备：高压开关、变压器、绝缘子、电缆终端等，评估其在高压环境下的静电放电干扰防护能力。
新能源产品：电动汽车电池、太阳能电池板、风力发电机控制器、储能系统等，检测其在生产及使用过程中的静电放电安全性。
军工产品：军用雷达、导弹制导系统、军用通信设备、军用计算机等，确保其在恶劣环境下的静电放电可靠性。
IEC61000-4-2:2018：电磁兼容性（EMC）-第4-2部分：试验和测量技术-静电放电抗扰度试验。
MIL-STD-883H:2023：微电子器件试验方法标准-第3015节：静电放电敏感度测试（人体模型、机器模型、组件充电模型）。
GB/T17626.2-2018：电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验（等同采用IEC61000-4-2:2008）。
ISO10605:2021：道路车辆-静电放电产生的电干扰-试验方法（包括车辆电子设备的静电放电测试）。
ASTMF150-17：静电放电敏感度测试用人体模型（HBM）的标准试验方法（规定了HBM静电放电的试验程序和参数）。
GJB151B-2013：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量（包含静电放电敏感度的要求和测量方法）。
IEC60749-26:2015：半导体器件-机械和气候试验方法-第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试-人体模型（HBM）（针对半导体器件的HBMESD测试）。
ANSI/ESDS20.20-2021：静电放电控制程序的标准（包含静电放电敏感度测试的要求和程序）。
GB/T24369.1-2009：表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂材料测定硅中硼的原子浓度（涉及静电放电对分析的影响）。
IEC60068-2-27:2008：环境试验-第2-27部分：试验-试验Ea和导则：冲击（包含静电放电冲击试验的要求）。
静电放电模拟器：模拟人体模型（HBM）、机器模型（MM）、组件充电模型（CDM）的静电放电过程，用于检测电子元器件的ESDS等级，参数包括放电电压（0-10000V）、脉冲上升时间（<1ns）、放电次数（1-1000次可设定）、脉冲宽度（10-100ns）。
静电抗扰度测试仪：模拟用户使用电子设备时的接触放电和空气放电，评估设备的静电抗扰度，参数包括放电电压（接触放电0-8000V，空气放电0-15000V）、放电频率（1-10Hz）、测试点数量（1-100个可设定）、放电模式（单次、连续）。
静电电荷测试仪：测量材料或产品表面积累的静电荷量，用于评估静电电荷积累的风险，参数包括电荷量范围（0-100μC）、测量精度（±2%）、测试环境（温度23±2℃，湿度45±5%RH）、摩擦速度（0-1000rpm）。
静电衰减时间测试仪：测量材料表面静电电荷衰减至规定值（如50%、10%）所需的时间，用于评估防静电材料的性能，参数包括衰减时间范围（0.1-1000s）、初始电压（0-1000V）、精度（±5%）、衰减百分比（10%-90%可设定）。
高阻计：测量材料的表面电阻率和体积电阻率，用于评估材料的防静电性能，参数包括电阻范围（10⁴-10¹⁴Ω）、测试电压（1-1000V可设定）、精度（±1%）、测试电极（平行板电极、环形电极）。
电磁兼容（EMC）测试系统：用于检测电子设备在静电放电时的电磁辐射和传导干扰，参数包括频率范围（10kHz-1GHz）、干扰电平（0-100dBμV）、测试模式（辐射、传导）、天线类型（双锥天线、对数周期天线）。
示波器：用于捕捉静电放电脉冲的波形，分析脉冲的上升时间、峰值电压、持续时间等参数，参数包括带宽（≥1GHz）、采样率（≥5GS/s）、存储深度（≥1Mpts）、触发方式（上升沿、下降沿）。
温度湿度试验箱：模拟不同环境条件（如高温、低温、高湿度、低湿度）下的静电放电测试，用于评估环境对产品静电放电敏感度的影响，参数包括温度范围（-40-150℃）、湿度范围（10-95%RH）、控制精度（温度±1℃，湿度±2%RH）、试验时间（1-1000小时可设定）。
静电防护元件测试仪：检测ESD二极管、压敏电阻等防护元件的钳位电压、响应时间、漏电流等参数，用于评估防护元件的性能，参数包括钳位电压范围（0-20V）、响应时间（<1ns）、漏电流范围（0-1μA）、反向击穿电压（0-50V）。
静电场强测试仪：测量环境中的静电场强，用于评估测试环境的静电水平，参数包括场强范围（0-100kV/m）、精度（±5%）、测试距离（10-100cm可设定）、显示单位（kV/m、V/cm）。
销售报告：出具正规第三方检测报告让客户更加信赖自己的产品质量，让自己的产品更具有说服力。
研发使用：拥有优秀的检测工程师和先进的测试设备，可降低了研发成本，节约时间。
司法服务：协助相关部门检测产品，进行科研实验，为相关部门提供科学、公正、准确的检测数据。
大学论文：科研数据使用。
投标：检测周期短，同时所花费的费用较低。
准确性较高;工业问题诊断：较短时间内检测出产品问题点，以达到尽快止损的目的。
国家标准
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地方标准
国际标准
其他标准
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